RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB vs Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
31
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
31
Velocità di lettura, GB/s
15.2
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2514
3687
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link