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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
39
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
31
Velocità di lettura, GB/s
14.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
2447
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Confronto tra le RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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