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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
26
Velocità di lettura, GB/s
14.0
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2356
3017
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Confronto tra le RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teclast TLD416G26A30 16GB
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