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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
42
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
9.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
42
Velocità di lettura, GB/s
14.0
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2356
2427
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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