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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
41
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
27
Velocità di lettura, GB/s
14.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2356
2288
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Confronto tra le RAM
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Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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