RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
72
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
72
Velocità di lettura, GB/s
14.0
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2356
1817
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link