RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Confronto
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Punteggio complessivo
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
39
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,597.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
35
Velocità di lettura, GB/s
5,022.9
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,597.0
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
753
2903
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Confronto tra le RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link