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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Confronto
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
63
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
5.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
38
Velocità di lettura, GB/s
6.1
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
2298
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Confronto tra le RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lenovo 16GB
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