RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
38
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
21
Velocità di lettura, GB/s
16.7
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
3034
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link