RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
38
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
24
Velocità di lettura, GB/s
16.7
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
3257
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link