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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
38
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
23
Velocità di lettura, GB/s
16.7
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
3147
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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