RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
38
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
32
Velocità di lettura, GB/s
16.7
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
2641
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link