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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
50
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
50
Velocità di lettura, GB/s
16.7
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
2064
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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