Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Punteggio complessivo
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 15
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,069.2 left arrow 10.9
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 106
    Intorno -293% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 5300
    Intorno 3.62 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    106 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,273.7 left arrow 15.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,069.2 left arrow 10.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    734 left arrow 2288
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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