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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Confronto
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Punteggio complessivo
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
71
106
Intorno -49% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
2,069.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
106
71
Velocità di lettura, GB/s
3,273.7
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,069.2
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
734
1902
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Confronto tra le RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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