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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Punteggio complessivo
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
42
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
34
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2001
2732
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
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