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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
43
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
26
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
3417
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
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