RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
66
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
66
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
1877
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link