Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Punteggio complessivo
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 9.0
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    36 left arrow 43
    Intorno -19% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.6 left arrow 13.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 36
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.2 left arrow 13.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.3 left arrow 9.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2285 left arrow 1778
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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