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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
43
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
37
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
2422
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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