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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
43
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
37
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
2907
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
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A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
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