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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
43
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
32
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
2641
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
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