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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
42
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
7.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
24
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2181
3049
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KY7N41-MID 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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