RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Confronto
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
79
Intorno 68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
79
Velocità di lettura, GB/s
15.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2646
1710
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link