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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Confronto
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
24
Velocità di lettura, GB/s
11.6
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1751
4122
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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