RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Confronto
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
26
Velocità di lettura, GB/s
11.6
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1751
3866
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link