RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Confronto
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
35
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
35
Velocità di lettura, GB/s
11.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1751
2852
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link