RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
45
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
45
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2190
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link