RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
60
Intorno 58% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
60
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2813
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link