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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
9.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
26
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2394
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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