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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
25
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
22
Velocità di lettura, GB/s
16.1
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3179
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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