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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
25
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
20
Velocità di lettura, GB/s
16.1
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3172
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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