RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
24
Velocità di lettura, GB/s
16.1
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3889
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link