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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
34
Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
10.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
34
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2337
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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