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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
34
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
34
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3494
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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