RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
25
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
21
Velocità di lettura, GB/s
16.1
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3507
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link