RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
16.1
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3651
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link