RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
25
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
20
Velocità di lettura, GB/s
16.1
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3703
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link