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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
25
Velocità di lettura, GB/s
16.1
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3519
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
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