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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
24
Velocità di lettura, GB/s
16.1
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
4006
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
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