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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
25
Velocità di lettura, GB/s
16.1
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3668
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
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