RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
32
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
32
Velocità di lettura, GB/s
16.1
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3672
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link