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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.3
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
25
Velocità di lettura, GB/s
16.1
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
18.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3731
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
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