RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
6.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno -4% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
24
Velocità di lettura, GB/s
16.1
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2113
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link