Confronto tra le RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Punteggio complessivo

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 28

Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

16.1 14.3

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.4 10.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 12800

Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2764 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns