RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
9.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
25
Velocità di lettura, GB/s
16.1
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
1944
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link