RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
46
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
46
Velocità di lettura, GB/s
16.1
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2325
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link