RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno -9% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
23
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2457
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link