RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
25
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
20
Velocità di lettura, GB/s
16.1
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3230
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link