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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
58
Intorno 57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
58
Velocità di lettura, GB/s
16.1
9.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2108
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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